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SAMSUNG (サムスン) MZ-V9S1T0B-IT

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最新のNANDフラッシュメモリを搭載した 990 EVO Plusは、シーケンシャル読み出し/書き込み速度を最大7250/6300MB/s まで高速化し、巨大なファイルを瞬時に転送します。最適化された効率、拡張されたパフォーマンス。ニッケルコーティングされたコントローラはワットパフォーマンスを 73%改善させ、より少ない電力消費で熱制御を実現します。過熱やバッテリー消費を心配することなく、仕事や遊びに集中できます。強化された Intelligent TurboWrite 2.0でドライブのパワーを最大限に活用します。最大 4TBの大容量と拡張された TurboWrite領域により、大量のデータをより高速に処理し、重いグラフィックスもスムーズに処理できます。型番MZ-V9S1T0B-ITシリーズ990 EVO PlusメーカーSAMSUNG(サムスン)フォームファクタM.2 type2280(22×80) PCIeインターフェイスPCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0ストレージタイプSSD内蔵 / 外付け内蔵タイプ容量1TBキャッシュ-- HMB(Host Memory Buffer)コントローラーSamsung 自社製フラッシュメーカーSamsungフラッシュタイプ3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)読込み速度シーケンシャルリード:最大 7150MB/secランダムリード:最大 850000IOPS書込み速度シーケンシャルライト:最大 6300MB/secランダムライト:最大 1350000IOPS耐久性評価 (書き込み上限数)--総書込みバイト量(Total Byte Written)600TBWMTBF(MTTF)150万時間

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